159НТ1Г

Закупаем микросхемы 159НТ1Г из производственных неликвидов организаций, сверхнормативных резервов организаций.

159НТ1Г
Микросхемы 159НТ1Г представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,3 г.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Предельно допустимые режимы эксплуатации 159НТ1Г:
- Напряжение коллектор-база ....... 20 В
- Напряжение эмиттер-база ....... 4 В
- Напряжение между транзисторами ....... 20 В
- Ток коллектора постоянный ....... 10 мА
- Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) ....... 40 мА
- Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) ....... 50 мВт
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.

Все ваши предложения просим отправлять по любым нашим контактам.
В своих предложениях отображайте: фирму производителя деталей, объем предлагаемой партии и год выпуска микросхем серии 159НТ1Г.