1ТС609Б

Выкуп транзисторов 1ТС609Б - все что у вас есть из резервов предприятий, невостребованного имущества предприятий и организаций.

1ТС609Б
Транзисторные сборки 1ТС609Б, состоящие из четырех германиевых диффузионио-сплавных р-п-р переключательных высокочастотных маломощных транзисторов.
Предназначены для применения в переключательных схемах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса сборки не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора 1ТС609Б:
Структура: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 500 мВт
fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 60 МГц
Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 700 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 40 мкА
h21э - Коэффициент обратной связи по напряжению транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 50...160
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 50 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,2 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не нормируется

Все ваши предложения просьба направлять по нашим контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: дата выпуска изделий, состояние, объем партии изделий, наличие заводской упаковки и маркировку изделий.