2Т321Е

Регулярно покупаем транзисторы серии 2Т321Е из складских остатков предприятий и организаций, складских резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов.

2Т321Е
Транзисторы 2Т321Е кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т321Е:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 210 мВт
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 20 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 60 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 80... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 80 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,6 Ом

Все предложения просьба направлять на email.
В своих предложениях, просим, уточняйте: маркировку товара, состояние и есть ли заводская упаковка.