2Т363Б

Срочный выкуп транзисторов 2Т363Б - все что у вас накопилось из невостребованных активов, складских остатков.

2Т363Б
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы 2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Транзисторы КТ363АМ, КТ363БМ выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки:
КТ363АМ - две розовые
КТ363БМ - розовая и желтая.
Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 0,5 г, в пластмассовом не более 0,3 г
Основные технические характеристики транзистора 2Т363Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 1500 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 12 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 40...120
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 75 пс

Ваши предложения просим отправлять на электронный адрес.
В ваших предложениях, пожалуйста, указывайте: есть ли заводская упаковка, маркировку деталей, состояние, дата выпуска и количество.