2Т624АМ-2

Регулярно приобретаем транзисторы серии 2Т624АМ-2 из неликвидов, сверхнормативных запасов промышленного назначения.

2Т624АМ-2
Транзисторы кремниеые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом 2Т624А-2, КТ624А-2 и металлическом 2Т624АМ-2, КТ624АМ-2 кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
2Т624А-2, КТ624А-2 не более 0,015 г,
2Т624АМ-2, КТ624АМ-2 не более 0,004 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т624АМ-2:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...180
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 9 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс

Предложения просьба направлять на электронную почту.
В ваших предложениях, просим, отображайте: фирму производителя, объем партии товара и наличие заводской упаковки у товара.