2Т633А

Выкуп транзисторов 2Т633А - все что у вас накопилось из невостребованных активов промышленного назначения, резервов, сверхнормативных запасов.

2Т633А
Транзисторы 2Т633А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т633А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 140
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц

Все ваши предложения просьба отправлять на электронную почту.
В своих предложениях указывайте: дата выпуска, маркировку товара и количество.