2Т635А

Срочно приобретаем транзисторы 2Т635А - любое количество из резервов промышленного назначения, производственных запасов, производственных неликвидов предприятий.

2Т635А
Транзисторы 2Т635А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т635А:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2,2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 25...150
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 58 пс

Предложения просьба отправлять по любым контактам.
В ваших предложениях уточняйте: дата выпуска, состояние, маркировку изделий, количество и наличие фабричной упаковки.