2Т826Б

Покупаем транзисторы 2Т826Б из производственных неликвидов организаций, складских остатков промышленного назначения.

2Т826Б
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.
Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В, КТ826А, КТ826Б, КТ826В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзистор 2Т826А-5 выпускается в виде кристаллов неразделенных с контактными площадками на пластине для гибридных интегральных микросхем.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 20 г, кристалла не более 0,01 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т826Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 15 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 6 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 700 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (700В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 5... 300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом

Предложения просим направлять по контактам.
В предложениях отображайте: год выпуска, производителя и наличие упаковки.