2Т830Б

Выкупаем транзисторы 2Т830Б из сверхнормативных запасов, складских резервов промышленных предприятий.

2Т830Б
Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами, транзисторы 2Т830В-1, 2Т830Г-1 бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзистора в металлическом корпусе не более 2 г, бескорпусного - не более 0,03 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т830Б:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 20
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Все предложения просьба направлять по любым нашим контактам.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: количество, год выпуска товара, условия хранения, состояние и производителя.