2Т888А

Срочно приобретем транзисторы 2Т888А - все что у вас накопилось из производственных неликвидов предприятий и организаций, сверхнормативных остатков.

2Т888А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т888А, 2Т888Б предназначены для применения в преобразователях, модуляторах, стабилизаторах напряжения вторичных источников электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т888А:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,8 Вт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 7 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 15 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 900 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 7 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (900В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 120
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 50 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 3 мкс

Предложения просьба отправлять на наш email.
В своих предложениях, просим, уточняйте: состояние, маркировку, дата выпуска, производителя и количество транзисторов типа 2Т888А.