2Т962Б

Регулярно приобретаем транзисторы серии 2Т962Б из складских остатков, резервов промышленного назначения, сверхнормативных запасов промышленного назначения.

2Т962Б
Транзисторы 2Т962Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 400...1000 МГц в схеме с общей базой при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.
Внутри корпуса имеется согласующее LС-звено.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т962Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 27 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менне 750 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 50 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 20 мА (50В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 20 Вт на частоте 1 ГГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 14 пс

Ваши предложения просьба отправлять по любым контактам.
В своих предложениях указывайте: год выпуска транзисторов, маркировку, наличие упаковки и объем партии.