2Т985АС

Покупаем транзисторы типа 2Т985АС - любое ваше количество из производственных запасов организаций и предприятий, резервов, невостребованного имущества предприятий и организаций.

2Т985АС
Сборки 2Т985АС из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n генераторных транзисторов.
Предназначены для применения в двухтактных широкополосных усилителях мощности в диапазоне частот 220...400 МГц при напряжении питания 28 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Сборка содержит внутренние согласующие LС-звенья для каждого транзистора.
Тип сборки указывается на корпусе.
Масса сборки не более 10 г.
Основные технические характеристики транзистора 2Т985АС:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 105 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 660 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 50 В (0,01кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 17 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 120 мА (50В)
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 270 пФ
Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 3,5 дБ
Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 125 Вт на частоте 400 МГц
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 21 пс

Предложения просим направлять на нашу электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: производителя, маркировку изделий, дата выпуска, есть ли фабричная упаковка и состояние.