Срочно покупаем транзисторы типа КП350Б - ваше количество из сверхнормативных резервов, неликвидов промышленного назначения, сверхнормативных запасов промышленного назначения.
КП350Б
Транзисторы КП350Б кремниевые диффузно-планарные полевые с двумя изолированными затворами и каналом n-типа.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах и преобразователях сверхвысокой частот до 700 МГц.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Транзисторы КП350А, КП350Б, КП350В на торцевой поверхности корпуса дополнительно маркируются двумя черными точками.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Основные технические характеристики транзистора КП350Б:
Структура транзистора: с двумя изолированными затворами и n-каналом
Рси max - Рассеиваемая мощность сток-исток: 200 мВт
Uзи отс - Напряжение отсечки транзистора - напряжение между затвором и истоком: 0,17... 6 В
Uси max - Максимальное напряжение сток-исток: 15 В
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток: 15 В
Iс - Ток стока (постоянный): 30 мА
Iс нач - Начальный ток стока: не более 3,5 мА
S - Крутизна характеристики: не менее 6 мА/В (10В 10мА)
С11и - Входная емкость транзистора - емкость между затвором и истоком: не более 6 пФ
С12и - Емкость обратной связи в схеме с общим истоком при коротком замыкании на входе по переменному току: не более 0,07 пФ
С22и - Выходная емкость транзистора - емкость между стоком и истоком: не более 6 пФ
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 5 дБ на частоте 100 МГц
Ваши предложения просим направлять на электронную почту.
В предложениях, просим, уточняйте: есть ли фабричная упаковка у товара, маркировку, количество транзисторов серии КП350Б, производителя транзисторов серии КП350Б и год выпуска.
У товара пока нет отзывов, но Вы можете стать первым!