КТ504Б

Покупаем транзисторы КТ504Б из производственных резервов промышленного назначения, неликвидов.

КТ504Б
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высоковольтных стабилизаторах напряжения и преобразователя, в устройствах управления газоразрядными панелями переменного тока.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами 2Т504А, 2Т504Б, КТ504А, КТ504Б, КТ504В и в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов, разделенные или неразделенные (на общей пластине) 2Т504А-5, 2Т504Б-5.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора в корпусе не более 2 г, кристалла не более 0,002 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ504Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 200 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 6 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 15... 100
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 30 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом

Все предложения просим отправлять по нашим контактам.
В своих предложениях, просим, уточняйте: состояние деталей, есть ли заводская упаковка, условия хранения и маркировку деталей.