КТ633Б

На постоянной основе закупаем транзисторы типа КТ633Б из неликвидов, сверхнормативных запасов, сверхнормативных резервов.

КТ633Б
Транзисторы КТ633Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в высокочастотных и импульсных устройствах в схеме с общей базой.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ633Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,2 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 500 мА
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (30В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 160
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,5 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 5 Ом
Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 6 дБ на частоте 20 МГц

Все предложения просим направлять на электронную почту.
В предложениях, пожалуйста, отображайте: объем предлагаемой партии, состояние транзисторов, производителя, условия хранения и маркировку.