КТ635Б

Выкуп транзисторов типа КТ635Б - ваше количество из сверхнормативных резервов предприятий, неликвидов, невостребованных активов промышленного назначения.

КТ635Б
Транзисторы КТ635Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных и высокочастотных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 3 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ635Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 250 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2,2 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 30 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20...150
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 58 пс

Ваши предложения просим направлять на наш электронный адрес.
В своих предложениях, пожалуйста, указывайте: наличие заводской упаковки у изделий, объем предлагаемой партии, условия хранения и производителя.