КТ644Г

Приобретем транзисторы КТ644Г - все что у вас накопилось из невостребованного имущества, сверхнормативных остатков, складских неликвидов.

КТ644Г
Транзисторы КТ644Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях различного назначения, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ644Г:
Структура транзистора: p-n-p
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1,1 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,6 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мкА (50В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 100...300
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,7 Ом

Предложения просим направлять на электронную почту.
В своих предложениях отображайте: условия хранения транзисторов, маркировку товара, объем предлагаемой партии, состояние товара и фирму производителя товара.