КТ801Б

Приобретаем транзисторы КТ801Б из неликвидов, сверхнормативных остатков промышленного назначения, производственных запасов промышленного назначения.

КТ801Б
Транзисторы КТ801Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ801Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 мГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 10 мА (80В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30... 150
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2,5 Ом

Предложения просьба направлять на нашу электронную почту.
В предложениях указывайте: количество, производителя, состояние деталей и условия хранения.