КТ814Г

Приобретаем транзисторы КТ814Г из производственных неликвидов промышленных предприятий и организаций, невостребованных активов.

КТ814Г
Транзисторы КТ814Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях, импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 1 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ814Г:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 100 В (0,1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мА (40В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 40
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом

Ваши предложения просим направлять на email.
В ваших предложениях, просим, указывайте: есть ли фабричная упаковка, условия хранения, производителя и объем партии.