КТ817В

Срочно приобретаем транзисторы КТ817В - все что у вас накопилось из сверхнормативных остатков предприятий, резервов промышленного назначения, невостребованных активов промышленного назначения.

КТ817В
Транзисторы КТ817В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,7 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ817В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 3 МГц
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм)
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,1 мА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 25
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 60 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,6 Ом

Все предложения просим отправлять по нашим контактам.
В своих предложениях, пожалуйста, уточняйте: год выпуска, производителя транзисторов, условия хранения, состояние товара и есть ли упаковка у товара.