КТ850Б

Выкупаем транзисторы типа КТ850Б - все что у вас накопилось из складских неликвидов промышленного назначения, складских резервов.

КТ850Б
Транзисторы КТ850Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ850Б:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 300 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (300В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс

Ваши предложения просьба отправлять на email.
В предложениях, пожалуйста, указывайте: условия хранения транзисторов КТ850Б, производителя, год выпуска, состояние и количество деталей.