КТ850В

На постоянной основе приобретаем транзисторы серии КТ850В из сверхнормативных запасов, складских неликвидов, невостребованного имущества промышленного назначения.

КТ850В
Транзисторы КТ850В кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ850В:
Структура транзистора: n-p-n
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 180 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (180В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 35 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 1500 нс

Все предложения просьба отправлять по любым контактам.
В ваших предложениях, просим, указывайте: состояние деталей, фирму производителя, условия хранения и количество.