КТ851В

Регулярно приобретаем транзисторы КТ851В из производственных неликвидов организаций и предприятий, производственных запасов, сверхнормативных резервов промышленного назначения.

КТ851В
Транзисторы КТ851В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ851В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 20 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 180 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 2 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 3 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 500 мкА (180В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 20... 200
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 40 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом
tрас - Время рассасывания: не более 1400 нс

Ваши предложения просим направлять на email.
В предложениях отображайте: условия хранения, количество, маркировку деталей и производителя.