КТ853В

Приобретаем транзисторы серии КТ853В из складских неликвидов, производственных резервов предприятий и организаций.

КТ853В
Транзисторы КТ853В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ853В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 7 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 60 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 200 мкА (60В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,66 Ом
tвыкл - Время выключения:: не более 3300 нс

Ваши предложения просьба отправлять на электронную почту.
В предложениях, просим, отображайте: состояние, условия хранения и маркировку товара.