КТ855В

Срочно выкупим транзисторы КТ855В - любое ваше количество из невостребованных активов, складских резервов, производственных неликвидов.

КТ855В
Транзисторы КТ855В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Основные технические характеристики транзистора КТ855В:
Структура транзистора: p-n-p
Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 40 Вт
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 5 МГц
Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 150 В
Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А
Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 8 А
Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1000 мкА (150В)
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15
Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 200 пФ
Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,5 Ом

Все предложения просим отправлять на email.
В предложениях, пожалуйста, уточняйте: условия хранения, состояние товара и маркировку деталей.